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  1. 研究論文

Hydrogen plasma passivation of GaAs on Si substrates for solar cell fabrication

https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4800
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4800
e6b421b6-e4d8-421e-b46c-521048d2be42
名前 / ファイル ライセンス アクション
JAP 本文_fulltext (88.3 kB)
Copyright (2000) American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.The following article appeared in Journal of Applied Physics, 87(5), pp.2285- 2288 ; 2000 and may be found at http://link.aip.org/link/?jap/87/2285
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2012-11-06
タイトル
タイトル Hydrogen plasma passivation of GaAs on Si substrates for solar cell fabrication
言語 en
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
著者 曾我, 哲夫

× 曾我, 哲夫

en Soga, Tetsuo

ja 曾我, 哲夫
ISNI

ja-Kana ソガ, テツオ


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Jimbo, Takashi

× Jimbo, Takashi

en Jimbo, Takashi

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Wang, G.

× Wang, G.

en Wang, G.

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Otsuka, K.

× Otsuka, K.

en Otsuka, K.

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Umeno, Masayoshi

× Umeno, Masayoshi

en Umeno, Masayoshi

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著者別名
姓名 Soga, Tetsuo
言語 en
姓名 曾我, 哲夫
言語 ja
姓名 ソガ, テツオ
言語 ja-Kana
著者別名
姓名 神保, 孝志
著者別名
姓名 梅野, 正義
書誌情報 en : JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

巻 87, 号 5, p. 2285-2288, 発行日 2000-03-01
出版者
出版者 American Institute of Physics
言語 en
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0021-8979
item_10001_source_id_32
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00693547
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 The effects of hydrogen plasma treatment and postannealing on GaAs solar cells on Si substrates have been investigated. It is found that postannealing temperature is an important parameter to obtain GaAs on Si with a long minority carrier lifetime. The minority carrier lifetime is increased and the deep level concentration is decreased by the hydrogen plasma treatment. Even after 450°C postannealing with the complete recovery of the shallow impurity level, the minority carrier lifetime is still longer and the deep level concentration is lower than those of the as-grown sample. It means that the defects in GaAs on Si are passivated by hydrogen. The efficiency of GaAs-on-Si solar cell (air mass 0, 1 sun) is improved from 16.6% (as-grown) to 18.3% by the hydrogen plasma passivation and to 17.2% by the hydrogen plasma passivation and postannealing at 450°C.
言語 en
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Ver.1 2023-05-15 13:46:12.667272
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