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  1. 研究論文

Investigations on Strained AlGaN/GaN/Sapphire and GaInN Multi-Quantum-Well Surface LEDs Using AlGaN/GaN Bragg Reflectors

https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4817
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4817
68efe54c-7723-405b-85cc-af97f7b78d98
名前 / ファイル ライセンス アクション
E83-C_591.pdf 本文_fulltext (1.6 MB)
Copyright (c) 2000 IEICE http://search.ieice.org/index.html
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2012-11-06
タイトル
タイトル Investigations on Strained AlGaN/GaN/Sapphire and GaInN Multi-Quantum-Well Surface LEDs Using AlGaN/GaN Bragg Reflectors
言語 en
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
著者 Ishikawa, Hiroyasu

× Ishikawa, Hiroyasu

en Ishikawa, Hiroyasu

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Nakada, Naoyuki

× Nakada, Naoyuki

en Nakada, Naoyuki

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Nakaji, Masaharu

× Nakaji, Masaharu

en Nakaji, Masaharu

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Zhao, Guang-Yuan

× Zhao, Guang-Yuan

en Zhao, Guang-Yuan

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江川, 孝志

× 江川, 孝志

en Egawa, Takashi

ja 江川, 孝志
ISNI

ja-Kana エガワ, タカシ


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Jimbo, Takashi

× Jimbo, Takashi

en Jimbo, Takashi

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Umeno, Masayoshi

× Umeno, Masayoshi

en Umeno, Masayoshi

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著者別名
姓名 Egawa, Takashi
言語 en
姓名 江川, 孝志
言語 ja
姓名 エガワ, タカシ
言語 ja-Kana
著者別名
姓名 神保, 孝志
著者別名
姓名 梅野, 正義
書誌情報 en : IEICE transactions on electronics

巻 E83-C, 号 4, p. 591-597, 発行日 2000-04-20
出版者
出版者 Institute of Electronics, Information and Communication Engineers
言語 en
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0916-8524
item_10001_source_id_32
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA10826283
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 Investigations were carried out on metalorganic-chemical-vapor-deposition (MOCVD)-grown strained AlGaN/ GaN/sapphire structures using X-ray diffratometry. While AlGaN with lower AlN molar fraction (< 0.1) is under the in-plane compressive stress, it is under the in-plane tensile stress with high AlN molar fraction (> 0.1). Though tensile stress caused the cracks in AlGaN layer with high AlN molar fraction, we found that the cracks dramatically reduced when the GaN layer quality was not good. Using this technique, we fabricated a GaInN multi-quantum-well (MQW) surface emitting diodes were fabricated on 15 pairs of AlGaN/GaN distributed Bragg reflector (DBR) structures. The reflectivity of 15 pairs of AlGaN/GaN DBR structure has been shown as 75% at 435 nm. Considerably higher output power (1.5 times) has been observed for DBR based GaInN MQW LED when compared with non-DBR based MQW structures.
言語 en
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Ver.1 2023-05-15 13:45:32.259262
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