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  1. 研究論文

Ce concentration dependence on the magnetic and transport properties of Ce doped Si epitaxial films prepared by molecular beam epitaxy

https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/5060
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/5060
31181672-4c35-4f4f-8815-1d332c47d48a
名前 / ファイル ライセンス アクション
JAP 本文_fulltext (47.6 kB)
Copyright (2002) American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.The following article appeared in Journal of Applied Physics, 91(10), pp.7905- 7907 ; 2002 and may be found at http://link.aip.org/link/?jap/91/7905
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2012-11-06
タイトル
タイトル Ce concentration dependence on the magnetic and transport properties of Ce doped Si epitaxial films prepared by molecular beam epitaxy
言語 en
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
著者 Yokota, Takeshi

× Yokota, Takeshi

en Yokota, Takeshi

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Fujimura, N.

× Fujimura, N.

en Fujimura, N.

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Wada, T.

× Wada, T.

en Wada, T.

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Hamasaki, S.

× Hamasaki, S.

en Hamasaki, S.

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Ito, T.

× Ito, T.

en Ito, T.

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著者別名
姓名 横田, 壮司
書誌情報 en : JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

巻 91, 号 10, p. 7905-7907, 発行日 2002-05-15
出版者
出版者 American Institute of Physics
言語 en
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0021-8979
item_10001_source_id_32
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00693547
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
item_10001_relation_34
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ DOI
関連識別子 http://dx.doi.org/10.1063/1.1451878
関連名称 10.1063/1.1451878
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 Diluted magnetic semiconductors, Si:Ce thin films with the Ce concentration below 1.5 at.%, were prepared by solid source molecular beam epitaxy. Magnetization curves (M-H) for all the samples show superparamagnetic behaviors at least up to 300 K. Temperature dependence of the magnetic susceptibility (χ-T) has a cusp, which is ascribed to the spin glass. Temperature dependence of resistivity (ρ-T) also has a cusp at around the cusp temperature in χ-T curves. As the amount of substituted Ce in Si estimated from the lattice constant increases, the cusp temperature also increases. The amount of substituted Ce in Si is considered to play an important role for the anomalous magnetic and transport properties.
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Ver.1 2023-05-15 14:01:36.336454
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