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Surface recombination velocities for 4H-SiC: Temperature dependence and difference in conductivity type at several crystal faces
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/6560
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/6560e8ea3438-c353-44ae-984f-39fb5286e37d
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文_fulltext (1.1 MB)
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The following article appeared in M. Kato et al., J. appl. phys. 127(19), 195702 (2020) and may be found at https://doi.org/10.1063/5.0007900. |
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2020-05-19 | |||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||
| タイトル | Surface recombination velocities for 4H-SiC: Temperature dependence and difference in conductivity type at several crystal faces | |||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||
| 著者 |
Kato, Masashi
× Kato, Masashi
× Xinchi, Zhang
× Kohama, Kimihiro
× Fukaya, Shuhei
× Ichimura, Masaya
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| 著者別名 | ||||||||||||||||
| 姓名 | 加藤, 正史 | |||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||
| 姓名 | 市村, 正也 | |||||||||||||||
| 書誌情報 |
en : Journal of Applied Physics 巻 127, 号 19, p. 195702, 発行日 2020-05-21 |
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| 出版者 | ||||||||||||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||
| 収録物識別子 | 0021-8979 | |||||||||||||||
| item_10001_source_id_32 | ||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||
| 収録物識別子 | AA00693547 | |||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||
| 出版タイプ | AM | |||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa | |||||||||||||||
| item_10001_relation_34 | ||||||||||||||||
| 関連タイプ | isVersionOf | |||||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||||||
| 関連識別子 | https://doi.org/10.1063/5.0007900 | |||||||||||||||
| 関連名称 | 10.1063/5.0007900 | |||||||||||||||
