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  1. 博士学位論文
  2. 専攻
  3. 物理工学専攻
  1. 博士学位論文
  2. 年度
  3. 2021年度

Growth of molybdenum disulphide on semiconductor substrates for heterojunction device applications

https://doi.org/10.20602/00006752
https://doi.org/10.20602/00006752
44a5bfa7-2bf2-4770-a4f9-6c8b91ac4c1c
名前 / ファイル ライセンス アクション
ko1220_a.pdf 要旨_abstract_review (245.9 kB)
ko1220_f.pdf 本文_fulltext (4.4 MB)
Item type 学位論文 / Thesis or Dissertation(1)
公開日 2021-11-02
タイトル
タイトル Growth of molybdenum disulphide on semiconductor substrates for heterojunction device applications
言語 en
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_db06
資源タイプ doctoral thesis
ID登録
ID登録 10.20602/00006752
ID登録タイプ JaLC
アクセス権
アクセス権 open access
アクセス権URI http://purl.org/coar/access_right/c_abf2
その他(別言語等)のタイトル
その他のタイトル 半導体基板上への二硫化モリブデンの合成とヘテロ接合デバイスへの応用
言語 ja
著者 Desai, Pradeep Niwas

× Desai, Pradeep Niwas

en Desai, Pradeep Niwas

Search repository
著者別名
識別子Scheme WEKO
識別子 22877
姓名 デサイ, プラデープ ニワース
学位名
言語 ja
学位名 博士(工学)
学位名
言語 en
学位名 Doctor of Engineering
学位授与番号
学位授与番号 甲第1220号
学位授与年月日
学位授与年月日 2021-09-01
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
学位授与機関
学位授与機関識別子Scheme kakenhi
学位授与機関識別子 13903
言語 ja
学位授与機関名 名古屋工業大学
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 主査:種村 眞幸
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Ver.1 2023-05-15 12:56:46.255843
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