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アイテム
光・デバイス用ヘテロエピタキシャルGaNおよびGaAsの物性に関する研究
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/1406
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/1406ebe15a91-82bc-438b-b602-9a1dca95a3b6
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文_fulltext (2.1 MB)
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本文_fulltext (1.1 MB)
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本文_fulltext (2.0 MB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper_04(1) | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2011-12-08 | |||||||
| タイトル | ||||||||
| タイトル | 光・デバイス用ヘテロエピタキシャルGaNおよびGaAsの物性に関する研究 | |||||||
| 言語 | ||||||||
| 言語 | eng | |||||||
| 資源タイプ | ||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||
| その他（別言語等）のタイトル | ||||||||
| その他のタイトル | ヒカリ ・ デンシ デバイスヨウ ヘテロ エピタキシャル GaN オヨビ GaAs ノ ブッセイ ニカンスル ケンキュウ | |||||||
| 著者 |
Research Center for Nano-Device and System Nagoya Institute of Technology
× Research Center for Nano-Device and System Nagoya Institute of Technology
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| 著者別名 | ||||||||
| 姓名 | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター | |||||||
| 著者別名 | ||||||||
| 姓名 | ナゴヤコウギョウダイガクゴクビデバイスキノウシステムケンキュウセンター | |||||||
| 書誌情報 |
極微構造デバイス研究センター報告書 = Technical report at Research Center for Micro-Structure Devices 巻 6, p. 151-261, 発行日 1999-03 |
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| 出版者 | ||||||||
| 出版者 | 名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター | |||||||
| 書誌レコードID | ||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||
| 収録物識別子 | AA1126125X | |||||||
| 著者版フラグ | ||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||
| フォーマット | ||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||||
