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Low-threshold continuous-wave room-temperature operation of Al xGa1-xAs/GaAs single quantum well lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition on Si substrates with SiO2 back coating
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4053
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| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文_fulltext (262.3 kB)
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Copyright (1990) American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.The following article appeared in Applied physics letters, 57(12), pp.1179-1181; 1990 and may be found at http://link.aip.org/link/?apl/57/1179
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2012-11-06 | |||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | Low-threshold continuous-wave room-temperature operation of Al xGa1-xAs/GaAs single quantum well lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition on Si substrates with SiO2 back coating | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||||||||||||||||
| 著者 |
江川, 孝志
× 江川, 孝志
× Tada, H.
× Kobayashi, Y.
× 曾我, 哲夫
× Jimbo, Takashi
× Umeno, Masayoshi
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| 著者別名 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | Egawa, Takashi | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | 江川, 孝志 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | エガワ, タカシ | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | Soga, Tetsuo | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | 曾我, 哲夫 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | ソガ, テツオ | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | 神保, 孝志 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | 梅野, 正義 | |||||||||||||||||||||||||||||
| bibliographic_information |
en : APPLIED PHYSICS LETTERS 巻 57, 号 12, p. 1179-1181, 発行日 1990-09-17 |
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| 出版者 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 0003-6951 | |||||||||||||||||||||||||||||
| item_10001_source_id_32 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AA00543432 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||||||||||||||
| item_10001_relation_34 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||||||||||||||||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||||||||||||||||||||
| 関連識別子 | http://dx.doi.org/10.1063/1.103519 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 関連名称 | 10.1063/1.103519 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | We demonstrate the first room‐temperature low‐threshold continuous‐wave (cw) operation of Al0.3Ga0.7As/GaAs single quantum well (SQW) heterostructure lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) on Si substrates using techniques of SiO2 back coating and thermal cycle annealing. The all‐MOCVD‐grown SQW lasers on GaAs/Si with etch pit density of 1.5× 107 cm-2 have threshold current as low as 55 mA (1.41 kA/cm2) under cw at room temperature. The SiO2 back coating is effective to obtain excellent current‐voltage characteristics. Thermal cycle annealing is also found to improve the crystallinity of GaAs/Si and to contribute to room‐temperature cw operation of the lasers on Si substrates. | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||
