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Transmission electron microscopy characterization of the initial stage of epitaxial growth of GaP on Si by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4086
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| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文_fulltext (362.0 kB)
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Copyright (1991) American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.The following article appeared in Applied physics letters, 58(19), pp.2108-2110; 1991 and may be found at http://link.aip.org/link/?apl/58/2108
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2012-11-06 | |||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||
| タイトル | Transmission electron microscopy characterization of the initial stage of epitaxial growth of GaP on Si by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||||||||||
| 著者 |
曾我, 哲夫
× 曾我, 哲夫
× George, T.
× Suzuki, T.
× Jimbo, Takashi
× Umeno, Masayoshi
× Weber, E. R.
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| 著者別名 | ||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | Soga, Tetsuo | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||
| 姓名 | 曾我, 哲夫 | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||||
| 姓名 | ソガ, テツオ | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | 神保, 孝志 | |||||||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | 梅野, 正義 | |||||||||||||||||||||||
| bibliographic_information |
en : APPLIED PHYSICS LETTERS 巻 58, 号 19, p. 2108-2110, 発行日 1991-05-13 |
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| 出版者 | ||||||||||||||||||||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 0003-6951 | |||||||||||||||||||||||
| item_10001_source_id_32 | ||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AA00543432 | |||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||||||||
| item_10001_relation_34 | ||||||||||||||||||||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||||||||||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||||||||||||||
| 関連識別子 | http://dx.doi.org/10.1063/1.104975 | |||||||||||||||||||||||
| 関連名称 | 10.1063/1.104975 | |||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | ||||||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | The initial stage of epitaxial growth of GaP on Si by low‐pressure metalorganic chemical vapor deposition was characterized by transmission electron microscopy. The growth mode changes from three‐dimensional to two‐dimensional with increasing V/III ratio. GaP on Si grown at a low V/III ratio of 800 contains many dislocations, stacking faults, and microtwins; however, a significant reduction in the density of these defects is observed in GaP grown at high V/III ratio of 3200. | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||
