WEKO3
アイテム
Ferroelectric Properties of BaTi_<0.91>(Hf_<0.5>Zr<0.5>)_<0.09>O_3 Thin Films Fabricated by Pulsed Laser Deposition
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4989
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4989e3bb8adb-621c-4a3d-805b-a25ecfe15f4d
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文_fulltext (4.2 MB)
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(c) 2001 The Ceramic Society of Japan
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||||||
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| 公開日 | 2012-11-06 | |||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||
| タイトル | Ferroelectric Properties of BaTi_<0.91>(Hf_<0.5>Zr<0.5>)_<0.09>O_3 Thin Films Fabricated by Pulsed Laser Deposition | |||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||
| その他（別言語等）のタイトル | ||||||||||||||||
| その他のタイトル | パルスレーザーデポジション法による BaTi_<0.91>(Hf_<0.5>Zr<0.5>)_<0.09>O_3薄膜の作製と強誘電体特性 | |||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||
| 著者 |
Kakemoto, Hirofumi
× Kakemoto, Hirofumi
× Kakimoto, Ken-ichi
× Baba, Akira
× Fujita, Shigetaka
× Masuda, Yoichiro
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| 著者別名 | ||||||||||||||||
| 姓名 | 柿本, 健一 | |||||||||||||||
| bibliographic_information |
en : Journal of the Ceramic Society of Japan 巻 109, 号 1272, p. 651-655, 発行日 2001-08-01 |
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| 出版者 | ||||||||||||||||
| 出版者 | The Ceramic Society of Japan | |||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||
| 収録物識別子 | 0914-5400 | |||||||||||||||
| item_10001_source_id_32 | ||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||
| 収録物識別子 | AN10040326 | |||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||
| 内容記述 | ||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||
| 内容記述 | BaTi_<0.91>(Hf_<0.5>Zr<0.5>)_<0.09>O_3 thin films were formed on Pt(111)/Ti/SiO_2/Si(100)substrates by pulsed laser deposition using fourth-harmonic-generated light(λ=266nm)of a Nd^<3+> :YAG laser beam. Crystallinity and stoichiometry of the thin films were determined by X-ray diffraction X-ray fluorescence analysis and electron probe microanalysis. Their ferroelectric properties were investigated from electrical measurements. The leakage current density increased from 10^<-11> to 10^<-3> A・cm^<-2>with increasing electric field up to 200kV. cm^<-1>. The dielectric constant, remanent polarization and coercive field of tghe BaTi_<0.91>(Hf_<0.5>Zr<0.5>)_<0.09>O_<3> thin films were estimated to be 120 at 1 kHz, 8.7 μC・cm^<-2> and 127kV・cm<-1>respectively. | |||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||
