WEKO3
アイテム / Investigation of MIS-type GaN- based HEMT grown by MOCVD on silicon (111) substrate / ko0860_a
ko0860_a
ファイル | ライセンス |
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ko0860_a.pdf (401.5 kB) sha256 5147164c47265bce0d37892b6bd7ecbfa7055e43f621278d1d4a48f676bdd2ec |
公開日 | 2014-06-25 | |||||
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ファイル名 | ko0860_a.pdf | |||||
本文URL | https://nitech.repo.nii.ac.jp/record/3074/files/ko0860_a.pdf | |||||
ラベル | 要旨_abstract_review | |||||
オブジェクトタイプ | abstract | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 401.5 kB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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