@article{oai:nitech.repo.nii.ac.jp:00004816,
 author = {江川, 孝志 and 石川, 博康 and 趙, 廣元 and 神保, 孝志 and 梅野, 正義},
 issue = {4},
 journal = {電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス},
 month = {Apr},
 note = {サファイア基板上に有機金属気相成長(MOCVD)法を用いてAlGaN/GaNヘテロ構造を成長し，更にリセスゲートプロセスを用いてAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)を作製した．50K以下の低温にてシートキャリヤ密度が一定になる2次元電子ガス特有の特性が観察された．8.9Kにおいて移動度は12000cm2/Vs，シートキャリヤ密度は2.8×1012cm-2であった．このような高品質の薄膜に変調ドープを行い，リアクティブイオンエッチング(RIE)によるリセスゲートプロセスを用いて作製したゲート長 2.1μmのAlGaN/GaN HEMTは，25°Cにて相互コンダクタンス146mS/mm，ドレーン電流900mA/mmの良好な特性が得られた．350°Cでは，相互コンダクタンスが62mS/mmと低下したが，良好なピンチオフ特性及び飽和特性を示した．また，25°C及び350°Cでのしきい値電圧の変化は0.3Vと非常に小さく，AC動作時での顕著な電流コラプスは観測されなかった．, application/pdf},
 pages = {253--260},
 title = {リセスゲートを用いたサファイア基板上のAlGaN/GaN HEMTの諸特性},
 volume = {J83-C},
 year = {2000},
 yomi = {エガワ, タカシ}
}