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アイテム / Effect of AlN growth temperature on trap densities of in-situ metal-organic chemical vapor deposition grown AlN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterostructure field-effect transistors / KuboToshiharu_2012_P2
KuboToshiharu_2012_P2
ファイル | ライセンス |
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KuboToshiharu_2012_P2.pdf (1.8 MB) sha256 3056819e175edb6c9f8dd6b5df3eaa603656bc83e885b1682cf60e89a6365161 | (c) 2012 by Authors. licensee American Institute of Physics. Creative Commons Attribution Licence http://creativecommons.org/licenses/by/3.0/ |
公開日 | 2015-06-11 | |||||
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ファイル名 | KuboToshiharu_2012_P2.pdf | |||||
本文URL | https://nitech.repo.nii.ac.jp/record/5655/files/KuboToshiharu_2012_P2.pdf | |||||
ラベル | 本文_fulltext | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 1.8 MB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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