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アイテム / Effect of buffer layer structure on the structural properties of GaAs epitaxial layers grown on GaP substrate / SogaTetsuo_2018_A2
SogaTetsuo_2018_A2
ファイル | ライセンス |
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SogaTetsuo_2018_A2.pdf (1.1 MB) sha256 de23567343d6a4fd0c710937f9d8d8ebd671c75e4eb1a5c41f493fb24edf35bf | (C)2019. This manuscript version is made available under the CC-BY-NC-ND 4.0 license http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ |
公開日 | 2020-08-21 | |||||
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ファイル名 | SogaTetsuo_2018_A2.pdf | |||||
本文URL | https://nitech.repo.nii.ac.jp/record/6613/files/SogaTetsuo_2018_A2.pdf | |||||
ラベル | 本文_fulltext | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 1.1 MB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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