ログイン
言語:

WEKO3

  • トップ
  • ランキング
To
lat lon distance
To

Field does not validate



インデックスリンク

インデックスツリー

メールアドレスを入力してください。

WEKO

One fine body…

WEKO

One fine body…

アイテム

  1. 研究論文

Energy-gap narrowing in a current injected InGaN/AIGaN surface light emitting diode

https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4522
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4522
22e0ae2e-11a9-490d-aafd-323226e08393
名前 / ファイル ライセンス アクション
APL 本文_fulltext (78.1 kB)
Copyright (1997) American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.The following article appeared in Applied physics letters, 71(17), pp.2424 - 2426; 1997 and may be found at http://link.aip.org/link/?apl/71/2424
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2012-11-06
タイトル
タイトル Energy-gap narrowing in a current injected InGaN/AIGaN surface light emitting diode
言語 en
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
著者 Zhao, G. Y.

× Zhao, G. Y.

en Zhao, G. Y.

Search repository
Yu, G.

× Yu, G.

en Yu, G.

Search repository
江川, 孝志

× 江川, 孝志

en Egawa, Takashi

ja 江川, 孝志
ISNI

ja-Kana エガワ, タカシ


Search repository
Watanabe, J.

× Watanabe, J.

en Watanabe, J.

Search repository
Jimbo, Takashi

× Jimbo, Takashi

en Jimbo, Takashi

Search repository
Umeno, Masayoshi

× Umeno, Masayoshi

en Umeno, Masayoshi

Search repository
著者別名
姓名 Egawa, Takashi
言語 en
姓名 江川, 孝志
言語 ja
姓名 エガワ, タカシ
言語 ja-Kana
著者別名
姓名 神保, 孝志
著者別名
姓名 梅野, 正義
書誌情報 en : APPLIED PHYSICS LETTERS

巻 71, 号 17, p. 2424-2426, 発行日 1997-10-27
出版者
出版者 American Institute of Physics
言語 en
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0003-6951
item_10001_source_id_32
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00543432
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 The emission spectrum of a current injected InGaN/AlGaN surface emitting diode has been investigated. A clear redshift of the low energy edge with increasing injected current has been observed, and is attributed to the many body effects. The carrier density and band gap narrowing are obtained by fitting the line shape of the emission spectrum, using Landsberg model which includes many body effects. A redshift of around 92 meV of the low energy edge is obtained as injected current increases from 400 to 4000 mA. The band gap change can be described well in proportion to the 1/3 power of the carrier density, which is just suggested by the exchange energy of electron-electron, and hole-hole interactions.
言語 en
戻る
0
views
See details
Views

Versions

Ver.1 2023-05-15 13:51:31.359040
Show All versions

Share

Mendeley Twitter Facebook Print Addthis

Cite as

エクスポート

OAI-PMH
  • OAI-PMH JPCOAR 2.0
  • OAI-PMH JPCOAR 1.0
  • OAI-PMH DublinCore
  • OAI-PMH DDI
Other Formats
  • JSON
  • BIBTEX

Confirm


Powered by WEKO3


Powered by WEKO3