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Photovoltaic and spectral photoresponse characteristics of n-C/p-C solar cell on a p-silicon substrate
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4864
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| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文_fulltext (57.1 kB)
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Copyright (2000) American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.The following article appeared in Applied physics letters, 77(10), pp.1472-1474; 2000 and may be found at http://link.aip.org/link/?apl/77/1472
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2012-11-06 | |||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||
| タイトル | Photovoltaic and spectral photoresponse characteristics of n-C/p-C solar cell on a p-silicon substrate | |||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||||||||
| 著者 |
Krishna, K. M.
× Krishna, K. M.
× Umeno, Masayoshi
× Nukaya, Y.
× 曾我, 哲夫
× Jimbo, Takashi
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| 著者別名 | ||||||||||||||||||||||
| 姓名 | 梅野, 正義 | |||||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||||
| 姓名 | Soga, Tetsuo | |||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||
| 姓名 | 曾我, 哲夫 | |||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||
| 姓名 | ソガ, テツオ | |||||||||||||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||||
| 姓名 | 神保, 孝志 | |||||||||||||||||||||
| 書誌情報 |
en : APPLIED PHYSICS LETTERS 巻 77, 号 10, p. 1472-1474, 発行日 2000-09-04 |
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| 出版者 | ||||||||||||||||||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 0003-6951 | |||||||||||||||||||||
| item_10001_source_id_32 | ||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AA00543432 | |||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||||||
| 内容記述 | ||||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||||||
| 内容記述 | Recent studies have shown the application of amorphous carbon as a semiconductor in C/Si heterojunction photovoltaic solar cells. In this letter, we report the rectifying current-voltage characteristics of the phosphorus-doped carbon/undoped-carbon (n-C/p-C) junction. The p- and n-carbon films were deposited by pyrolysis and ion-beam sputtering, respectively, on a p-Si substrate, using camphor as a natural carbon precursor. The preliminary photovoltaic characteristics of the cell reveals a short-circuit current density of 17.1 mA/cm2, open-circuit voltage of 0.339 V, and photoelectrical conversion efficiency of 1.82%, a reproducible result, under air mass zero and 1 sun illumination conditions. The spectral photoresponse characteristics of the cell of the above configuration was explained in terms of transmission/absorption characteristics of the two individual carbon layers. | |||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||
