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  1. 研究論文

InGaN multiple-quantum-well green light-emitting diodes on Si grown by metalorganic chemical vapor deposition

https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/5027
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/5027
2766c67f-7383-49f6-b212-febd4246cba0
名前 / ファイル ライセンス アクション
JAP 本文_fulltext (63.2 kB)
Copyright (2002) American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.The following article appeared in Journal of Applied Physics, 91(1), pp.528- 530 ; 2002 and may be found at http://link.aip.org/link/?jap/91/528
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2012-11-06
タイトル
タイトル InGaN multiple-quantum-well green light-emitting diodes on Si grown by metalorganic chemical vapor deposition
言語 en
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
著者 江川, 孝志

× 江川, 孝志

en Egawa, Takashi

ja 江川, 孝志
ISNI

ja-Kana エガワ, タカシ


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Zhang, B.

× Zhang, B.

en Zhang, B.

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Nishikawa, N.

× Nishikawa, N.

en Nishikawa, N.

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Ishikawa, H.

× Ishikawa, H.

en Ishikawa, H.

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Jimbo, Takashi

× Jimbo, Takashi

en Jimbo, Takashi

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Umeno, Masayoshi

× Umeno, Masayoshi

en Umeno, Masayoshi

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著者別名
姓名 Egawa, Takashi
言語 en
姓名 江川, 孝志
言語 ja
姓名 エガワ, タカシ
言語 ja-Kana
著者別名
姓名 神保, 孝志
著者別名
姓名 梅野, 正義
書誌情報 en : JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

巻 91, 号 1, p. 528-530, 発行日 2002-01-01
出版者
出版者 American Institute of Physics
言語 en
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0021-8979
item_10001_source_id_32
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00693547
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
item_10001_relation_34
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ DOI
関連識別子 http://dx.doi.org/10.1063/1.1408264
関連名称 10.1063/1.1408264
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 We report the characteristics of InGaN multiple-quantum-well (MQW) green light-emitting diodes (LEDs) on Si (111) substrates. The MQW LEDs were grown on Si by metalorganic chemical vapor deposition using Al0.27Ga0.73N/AlN intermediate layers. The LED on Si showed an operating voltage of 7 V, a series resistance of 100 Ω, an optical output power of 20 μW, and a peak emission wavelength of 505 nm with a full width at half maximum of 33 nm at 20 mA drive current. The optical output power was half as compared to that of green LED on sapphire. The LED also exhibited a stable operation over 500 h under automatic current control (20 mA) condition at 27°C.
言語 en
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Ver.1 2023-05-15 13:42:43.683990
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