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  1. 研究論文

Annealing of p-type wide-gap CuxZnyS thin films deposited by the photochemical deposition method

https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/6243
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/6243
97a559be-1e4f-424a-aaad-2500485ba645
名前 / ファイル ライセンス アクション
IchimuraMasaya_2016_A3.pdf 本文_fulltext (938.0 kB)
(C)2016 The Japan Society of Applied Physics
第三者による機関リポジトリに掲載された著作物の利用は,私的利用(著作権法第30条)および引用(著作権法第32条)の範囲内に限られる。
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2018-05-14
タイトル
タイトル Annealing of p-type wide-gap CuxZnyS thin films deposited by the photochemical deposition method
言語 en
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
著者 Tong, Bayingaerdi

× Tong, Bayingaerdi

en Tong, Bayingaerdi

Search repository
Ichimura, Masaya

× Ichimura, Masaya

en Ichimura, Masaya

Search repository
著者別名
姓名 市村, 正也
書誌情報 en : Japanese Journal of Applied Physics

巻 55, 号 9, p. 098004, 発行日 2016-08-22
出版者
出版者 Japan Society of Applied Physics
言語 en
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0021-4922
item_10001_source_id_32
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA12295836
出版タイプ
出版タイプ AM
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
item_10001_relation_34
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ DOI
関連識別子 https://doi.org/10.7567/JJAP.55.098004
関連名称 10.7567/JJAP.55.098004
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Ver.1 2023-05-15 13:15:43.447891
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