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Characterization of (211) and (100) CdTe Layers Grown on Si Substrates by Metalorganic Vapor- Phase Epitaxy
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This is a post-peer-review, pre-copyedit version of an article published in Journal of Electronic Materials. The final authenticated version is available online at: http://doi.org/10.1007/s11664-017-5703-6
Characterization of (211) and (100) CdTe Layers Grown on Si Substrates by Metalorganic Vapor- Phase Epitaxy
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