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  1. 研究論文

Post Growth Annealing of MOVPE-Grown Single Crystal CdTe Epilayers on (211) Si Substrates

https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/6832
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/6832
e80bc629-9713-4060-b7d8-ff72344a3004
名前 / ファイル ライセンス アクション
NiraulaMadan_2018_A2.pdf 本文_fulltext (374.4 kB)
(C)2018 IEEE. Personal use of this material is permitted. Permission from IEEE must be obtained for all other uses, in any current or future media, including reprinting/republishing this material for advertising or promotional purposes, creating new collective works, for resale or redistribution to servers or lists, or reuse of any copyrighted component of this work in other works.
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2021-11-08
タイトル
タイトル Post Growth Annealing of MOVPE-Grown Single Crystal CdTe Epilayers on (211) Si Substrates
言語 en
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
著者 Niraula, Madan

× Niraula, Madan

en Niraula, Madan

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Yasuda, K.

× Yasuda, K.

en Yasuda, K.

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Ozawa, J.

× Ozawa, J.

en Ozawa, J.

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Yamaguchi, T.

× Yamaguchi, T.

en Yamaguchi, T.

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Tsubota, S.

× Tsubota, S.

en Tsubota, S.

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Mori, T.

× Mori, T.

en Mori, T.

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Agata, Y.

× Agata, Y.

en Agata, Y.

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著者別名
姓名 ニラウラ, マダン
書誌情報 en : IEEE transactions on nuclear science

巻 65, 号 8, p. 2325-2328, 発行日 2018-08
出版者
出版者 IEEE
言語 en
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0018-9499
item_10001_source_id_32
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00667999
出版タイプ
出版タイプ AM
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
item_10001_relation_34
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ DOI
関連識別子 https://doi.org/10.1109/TNS.2018.2855751
関連名称 10.1109/TNS.2018.2855751
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 出版時のタイトル:Postgrowth Annealing of MOVPE-Grown Single-Crystal CdTe Epilayers on (211) Si Substrates
言語 ja
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Ver.1 2023-05-15 12:57:36.409661
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