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  1. 極微構造デバイス研究センター報告書
  2. Vol.8(2001)

Si基板上GaA系化合物半導体内欠陥の水素プラズマによる不活性化に関する研究

https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/1418
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/1418
b0e51619-5c2c-4239-9d56-4cea95f1db20
名前 / ファイル ライセンス アクション
trnit2001_287-308.pdf 本文_fulltext (970.9 kB)
trnit2001_309-336.pdf 本文_fulltext (987.2 kB)
trnit2001_337-361.pdf 本文_fulltext (996.6 kB)
trnit2001_362-404.pdf 本文_fulltext (1.7 MB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper_04(1)
公開日 2011-12-08
タイトル
タイトル Si基板上GaA系化合物半導体内欠陥の水素プラズマによる不活性化に関する研究
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
その他(別言語等)のタイトル
その他のタイトル Si キバンジョウ GaAs ケイ カゴウブツ ハンドウタイナイ ケッカン ノ スイソ プラズマ ニヨル フカッセイカ ニカンスル ケンキュウ
著者 Research Center for Nano-Device and System Nagoya Institute of Technology

× Research Center for Nano-Device and System Nagoya Institute of Technology

en Research Center for Nano-Device and System Nagoya Institute of Technology

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著者別名
姓名 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
著者別名
姓名 ナゴヤコウギョウダイガクゴクビデバイスキノウシステムケンキュウセンター
書誌情報 極微構造デバイス研究センター報告書 = Technical Report at Research Center for Micro-Structure Devices

巻 8, p. 287-404, 発行日 2001-03
出版者
出版者 名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA1126125X
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
フォーマット
内容記述タイプ Other
内容記述 application/pdf
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Ver.1 2023-05-15 14:33:30.462072
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