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Investigation of MIS-type GaN-based HEMT grown by MOCVD on Silicon(111) Substrate
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/1590
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/1590f19a5012-7ad5-4b1a-a22f-b6af7ebabddf
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文_fulltext (3.2 MB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper_04(1) | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2014-01-09 | |||||||
| タイトル | ||||||||
| タイトル | Investigation of MIS-type GaN-based HEMT grown by MOCVD on Silicon(111) Substrate | |||||||
| 言語 | en | |||||||
| 言語 | ||||||||
| 言語 | eng | |||||||
| 資源タイプ | ||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||
| 著者 |
Research, Center for Nano-Device and System Nagoya Institute of Technology
× Research, Center for Nano-Device and System Nagoya Institute of Technology
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| 著者別名 | ||||||||
| 姓名 | 名古屋工業大学, 極微デバイス機能システム研究センター | |||||||
| 著者別名 | ||||||||
| 姓名 | ナゴヤコウギョウダイ, ガクゴクビデバイスキノウシステムケンキュウセンター | |||||||
| 書誌情報 |
極微デバイス機能システム研究センター報告書 = Technical report at Research Center for Nano-Device and System 巻 10, p. 1-65, 発行日 2013-03 |
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| 出版者 | ||||||||
| 出版者 | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター | |||||||
| 書誌レコードID | ||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||
| 収録物識別子 | AA12036883 | |||||||
| 著者版フラグ | ||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||
| フォーマット | ||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||||
