WEKO3
アイテム
MOCVD Growth and Evaluation of GaAs on p+n-Si and n+p-Si Substrates
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/1626
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/1626eef503af-f895-4f3d-835e-eafc1a445fd1
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
本文_fulltext (992.7 kB)
|
|
| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper_04(1) | |||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2011-11-22 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | MOCVD Growth and Evaluation of GaAs on p+n-Si and n+p-Si Substrates | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 著者 |
梅野, 正義
× 梅野, 正義
× Cai, Fengming
× 神保, 孝志
× 曾我, 哲夫
× Imanishi, Daisuke
× Matsuo, Hidemasa
|
|||||||||||||||||||||||||||||||
| 書誌情報 |
ja : 名古屋工業大學學報 巻 42, p. 137-141, 発行日 1991-03-31 |
|||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版者 | 名古屋工業大学 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 0369-3171 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 書誌レコードID | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AN00179603 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||||||||||||||||
