WEKO3
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化学ビームエピタキシャル(CBE)法とそれによるシリコン基板上化合物半導体の結晶成長
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/2144
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名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文_fulltext (361.8 kB)
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|
Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper_04(1) | |||||
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公開日 | 2011-06-02 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | 化学ビームエピタキシャル(CBE)法とそれによるシリコン基板上化合物半導体の結晶成長 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
その他(別言語等)のタイトル | ||||||
その他のタイトル | Chemical Beam Epitaxy and its Application to Crystal Growth of III-V Compound on Si | |||||
著者 |
内田, 秀雄
× 内田, 秀雄× 邵, 春林× 曾我, 哲夫× 神保, 孝志× 梅野, 正義 |
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著者別名 | ||||||
姓名 | Uchida, Hideo | |||||
著者別名 | ||||||
姓名 | Soga, Tetsuo | |||||
書誌情報 |
名古屋工業大学紀要 巻 48, p. 165-169, 発行日 1997-03-31 |
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出版者 | ||||||
出版者 | 名古屋工業大学 | |||||
ISSN | ||||||
収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
収録物識別子 | 0918595X | |||||
書誌レコードID | ||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||
収録物識別子 | AN10389180 | |||||
著者版フラグ | ||||||
出版タイプ | VoR | |||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
フォーマット | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | application/pdf |