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アイテム
化学ビームエピタキシャル（CBE)法とそれによるシリコン基板上化合物半導体の結晶成長
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/2144
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/21446743e059-1705-4d56-83e4-1bed2055bc8b
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文_fulltext (361.8 kB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper_04(1) | |||||||||||||||||||||||
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| 公開日 | 2011-06-02 | |||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||
| タイトル | 化学ビームエピタキシャル（CBE)法とそれによるシリコン基板上化合物半導体の結晶成長 | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||||||||||||||||
| その他（別言語等）のタイトル | ||||||||||||||||||||||||
| その他のタイトル | Chemical Beam Epitaxy and its Application to Crystal Growth of III-V Compound on Si | |||||||||||||||||||||||
| 著者 |
内田, 秀雄
× 内田, 秀雄
× 邵, 春林
× 曾我, 哲夫
× 神保, 孝志
× 梅野, 正義
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| 著者別名 | ||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | Uchida, Hideo | |||||||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | Soga, Tetsuo | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||
| 姓名 | 曾我, 哲夫 | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||||
| 姓名 | ソガ, テツオ | |||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||||||||||||||
| 書誌情報 |
名古屋工業大学紀要 巻 48, p. 165-169, 発行日 1997-03-31 |
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| 出版者 | ||||||||||||||||||||||||
| 出版者 | 名古屋工業大学 | |||||||||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 0918595X | |||||||||||||||||||||||
| 書誌レコードID | ||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AN10389180 | |||||||||||||||||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||||||||
| フォーマット | ||||||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||||||||||||||||||||
