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アイテム
Room-temperature laser operation of AlGaAs/GaAs double heterostructures fabricated on Si substrates by metalorganic chemical vapor deposition
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/3849
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/3849535532b5-2b64-4e01-8161-81b1d2bc50d9
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文_fulltext (164.2 kB)
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Copyright (1986) American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.The following article appeared in Applied physics letters,48(6),pp.413 - 414; 1986 and may be found at http://link.aip.org/link/?apl/48/413
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2012-11-06 | |||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||
| タイトル | Room-temperature laser operation of AlGaAs/GaAs double heterostructures fabricated on Si substrates by metalorganic chemical vapor deposition | |||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||||||
| 著者 |
Sakai, Shiro
× Sakai, Shiro
× 曾我, 哲夫
× Takeyasu, Masanari
× Umeno, Masayoshi
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| 著者別名 | ||||||||||||||||||||
| 姓名 | Soga, Tetsuo | |||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||
| 姓名 | 曾我, 哲夫 | |||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||
| 姓名 | ソガ, テツオ | |||||||||||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||
| 姓名 | 梅野, 正義 | |||||||||||||||||||
| bibliographic_information |
en : APPLIED PHYSICS LETTERS 巻 48, 号 6, p. 413-414, 発行日 1986-02-10 |
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| 出版者 | ||||||||||||||||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 0003-6951 | |||||||||||||||||||
| item_10001_source_id_32 | ||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AA00543432 | |||||||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||||
| item_10001_relation_34 | ||||||||||||||||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||||||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||||||||||
| 関連識別子 | http://dx.doi.org/10.1063/1.96515 | |||||||||||||||||||
| 関連名称 | 10.1063/1.96515 | |||||||||||||||||||
| 内容記述 | ||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||||
| 内容記述 | AlGaAs/GaAs double heterostructure laser diodes have been fabricated on Si substrates using GaP/(GaP/GaAsP) superlattice/(GaAsP/GaAs) superlattice intermediate layers grown by metalorganic chemical vapor deposition. A threshold current density at 16.5°C and a characteristic temperature T0 of 4.9 kA/cm2 and 179 K respectively have been obtained for the diode on Si substrate. | |||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||
