WEKO3
アイテム
Explosive crystallization starting from an amorphous-silicon surface region during long pulsed-laser irradiation
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/3913
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/3913a6881457-6633-4ec8-9013-35a32ba455e5
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
本文_fulltext (660.0 kB)
|
(c)2007 The American Physical Society
|
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2012-11-06 | |||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||
| タイトル | Explosive crystallization starting from an amorphous-silicon surface region during long pulsed-laser irradiation | |||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||
| 著者 |
Murakami, Koichi
× Murakami, Koichi
× Eryu, Osamu
× Takita, Koki
× Masuda, Kozo
|
|||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||
| 姓名 | 江龍, 修 | |||||||||||||
| bibliographic_information |
en : PHYSICAL REVIEW LETTERS 巻 59, 号 19, p. 2203-2206, 発行日 1987-11-09 |
|||||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||||
| 出版者 | American Physical Society | |||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||
| 収録物識別子 | 0031-9007 | |||||||||||||
| item_10001_source_id_32 | ||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||
| 収録物識別子 | AA00773679 | |||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||
| item_10001_relation_34 | ||||||||||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||||
| 関連識別子 | http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.59.2203 | |||||||||||||
| 関連名称 | 10.1103/PhysRevLett.59.2203 | |||||||||||||
| 内容記述 | ||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||
| 内容記述 | A newly developed method of backside time-resolved reflectivity measurement is useful for probing the interface between solid and transient liquid Si. Measurements indicate that explosive crystallization starts very near the Si surface from a highly undercooled liquid Si layer thinner than 3 nm for laser irradiation with long pulses ranging from 65 to 200 ns. During the laser irradiation, surface melt-in continues into fine-grained polycrystalline Si produced by explosive crystallization, followed by solidification of the surface-liquid layer. | |||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
