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Direct evidence for self-annihilation of antiphase domains in GaAs/Si heterostructures
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4000
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4000e2d1d461-ff24-496e-960a-3c6b8a04392f
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文_fulltext (497.6 kB)
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Copyright (1989) American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.The following article appeared in Applied physics letters, 55(5), pp.445-447; 1989 and may be found at http://link.aip.org/link/?apl/55/445
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2012-11-06 | |||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||
| タイトル | Direct evidence for self-annihilation of antiphase domains in GaAs/Si heterostructures | |||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||||||
| 著者 |
Ueda, O.
× Ueda, O.
× 曾我, 哲夫
× Jimbo, Takashi
× Umeno, Masayoshi
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| 著者別名 | ||||||||||||||||||||
| 姓名 | Soga, Tetsuo | |||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||
| 姓名 | 曾我, 哲夫 | |||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||
| 姓名 | ソガ, テツオ | |||||||||||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||
| 姓名 | 神保, 孝志 | |||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||
| 姓名 | 梅野, 正義 | |||||||||||||||||||
| bibliographic_information |
en : APPLIED PHYSICS LETTERS 巻 55, 号 5, p. 445-447, 発行日 1989-07-31 |
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| 出版者 | ||||||||||||||||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 0003-6951 | |||||||||||||||||||
| item_10001_source_id_32 | ||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AA00543432 | |||||||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||||
| item_10001_relation_34 | ||||||||||||||||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||||||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||||||||||
| 関連識別子 | http://dx.doi.org/10.1063/1.101870 | |||||||||||||||||||
| 関連名称 | 10.1063/1.101870 | |||||||||||||||||||
| 内容記述 | ||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||||
| 内容記述 | The nature and behavior of antiphase boundaries in GaAs/Si heterostructures using GaP, GaP IGaAsP, and GaAsP IGaAs strained-layer superlattices as intermediate layers have been studied by transmission electron microscopy. The antiphase domains are found to be very complicated three-dimensional poiygons consisting of several subboundaries in different orientations. Self-annihilation of antiphase domains during crystal growth of GaAs on (001) 0.4° off or (001) 2° off Si substrates is directly observed for the first time through plan-view and cross-sectional observations. Based on these findings, a mechanism of annihilation of these domains is presented. | |||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||
