WEKO3
アイテム
Observation of lattice relaxation at the GaAsP/GaAs interface beyond the critical thickness by transmission electron microscopy
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4284
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/428492ae8d22-42e3-4b79-a916-e63e065912f9
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
本文_fulltext (529.6 kB)
|
Copyright (1994) American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.The following article appeared in Journal of Applied Physics, 75(9), pp.4510- 4514 ; 1994 and may be found at http://link.aip.org/link/?jap/75/4510
|
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2012-11-06 | |||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||
| タイトル | Observation of lattice relaxation at the GaAsP/GaAs interface beyond the critical thickness by transmission electron microscopy | |||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||||||
| 著者 |
曾我, 哲夫
× 曾我, 哲夫
× Inoue, Jiro
× Jimbo, Takashi
× Umeno, Masayoshi
|
|||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||
| 姓名 | Soga, Tetsuo | |||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||
| 姓名 | 曾我, 哲夫 | |||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||
| 姓名 | ソガ, テツオ | |||||||||||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||
| 姓名 | 神保, 孝志 | |||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||
| 姓名 | 梅野, 正義 | |||||||||||||||||||
| bibliographic_information |
en : JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 巻 75, 号 9, p. 4510-4514, 発行日 1994-05-01 |
|||||||||||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||||||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 0021-8979 | |||||||||||||||||||
| item_10001_source_id_32 | ||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AA00693547 | |||||||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||||
| item_10001_relation_34 | ||||||||||||||||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||||||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||||||||||
| 関連識別子 | http://dx.doi.org/10.1063/1.355942 | |||||||||||||||||||
| 関連名称 | 10.1063/1.355942 | |||||||||||||||||||
| 内容記述 | ||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||||
| 内容記述 | The lattice relaxation at the GaAs1-xPx/GaAs interface is observed using thickness fringe images in transmission electron microscopy. The bending of the equal thickness fringes observed near the interface is explained, assuming that crystal planes are inclined near the interface and that the inclination has a maximum at the interface. The magnitudes of inclination and the thickness of the strained region are estimated for various phosphorous composition and the GaAsP thickness. The lattice relaxation mechanisms for GaAsP on GaAs is described. It is indicated from the thickness fringe observation that the lattice relaxation occurs gradually beyond the critical thickness. | |||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||
