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Photovoltaic properties of an AlxGa1-xAs solar cell (x=0-0.22) grown on Si substrate by metalorganic chemical vapor deposition and thermal cycle annealing
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4419
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| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文_fulltext (193.0 kB)
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Copyright (1996) American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.The following article appeared in Journal of Applied Physics, 79(12), pp.9375-9378 ; 1996 and may be found at http://link.aip.org/link/?jap/79/9375
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2012-11-06 | |||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||
| タイトル | Photovoltaic properties of an AlxGa1-xAs solar cell (x=0-0.22) grown on Si substrate by metalorganic chemical vapor deposition and thermal cycle annealing | |||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||||||
| 著者 |
曾我, 哲夫
× 曾我, 哲夫
× Kato, T.
× Umeno, Masayoshi
× Jimbo, Takashi
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| 著者別名 | ||||||||||||||||||||
| 姓名 | Soga, Tetsuo | |||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||
| 姓名 | 曾我, 哲夫 | |||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||
| 姓名 | ソガ, テツオ | |||||||||||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||
| 姓名 | 梅野, 正義 | |||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||
| 姓名 | 神保, 孝志 | |||||||||||||||||||
| bibliographic_information |
en : JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 巻 79, 号 12, p. 9375-9378, 発行日 1996-06-15 |
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| 出版者 | ||||||||||||||||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 0021-8979 | |||||||||||||||||||
| item_10001_source_id_32 | ||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AA00693547 | |||||||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||||
| 内容記述 | ||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||||
| 内容記述 | The effects of a thermal cycle annealing (TCA) process on the defects in GaAs and AlxGa1-xAs solar cells on Si substrates are described in this paper. The defect density is reduced and the solar cell efficiency is improved by TCA. The defect density and the solar cell efficiency are evaluated in detail with respect to TCA temperature and Al composition. The problems involved in the fabrication of a high efficiency AlGaAs solar cell on a Si substrate are discussed. | |||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||
