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Growth of high quality Al0.22Ga0.78As layers on Si substrates by metalorganic chemical vapor deposition
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4440
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| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文_fulltext (80.3 kB)
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Copyright (1996) American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.The following article appeared in Journal of Applied Physics, 80(7), pp.4112- 4115 ; 1996 and may be found at http://link.aip.org/link/?jap/80/4112
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2012-11-06 | |||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||
| タイトル | Growth of high quality Al0.22Ga0.78As layers on Si substrates by metalorganic chemical vapor deposition | |||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||||||
| 著者 |
Baskar, K.
× Baskar, K.
× 曾我, 哲夫
× Jimbo, Takashi
× Umeno, Masayoshi
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| 著者別名 | ||||||||||||||||||||
| 姓名 | Soga, Tetsuo | |||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||
| 姓名 | 曾我, 哲夫 | |||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||
| 姓名 | ソガ, テツオ | |||||||||||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||
| 姓名 | 神保, 孝志 | |||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||
| 姓名 | 梅野, 正義 | |||||||||||||||||||
| bibliographic_information |
en : JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 巻 80, 号 7, p. 4112-4115, 発行日 1996-10-01 |
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| 出版者 | ||||||||||||||||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 0021-8979 | |||||||||||||||||||
| item_10001_source_id_32 | ||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AA00693547 | |||||||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||||
| 内容記述 | ||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||||
| 内容記述 | High quality epitaxial layers of Al0.22Ga0.78As have been grown on Si substrates by adopting thermal cycle annealing. The quality of the Al0.22Ga0.78As has been assessed by photoluminescence, deep‐level transient spectroscopy, and double‐crystal x‐ray diffraction studies. The emergence of a new luminescence emission (1.718 eV), high concentrations of shallow levels, passivation of a deep level (0.43 eV), and dislocation reduction in the high‐temperature thermal cycle annealed samples have been explained by a silicon diffusion mechanism and the formation of complex point defects. Deep‐level emission at 0.64 eV has been attributed to disordering in the epitaxial layers. | |||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||
