WEKO3
アイテム
Optical properties of AlxGa1-xN/GaN heterostructures on sapphire by spectroscopic ellipsometry
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4561
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4561a02385ac-ff26-4bdf-9476-b11d16668f4e
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
本文_fulltext (95.2 kB)
|
Copyright (1998) American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.The following article appeared in Applied physics letters, 72(18), pp.2202-2204; 1998 and may be found at http://link.aip.org/link/?apl/72/2202
|
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2012-11-06 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | Optical properties of AlxGa1-xN/GaN heterostructures on sapphire by spectroscopic ellipsometry | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 著者 |
Yu, G.
× Yu, G.
× Ishikawa, H.
× Umeno, Masayoshi
× 江川, 孝志
× Watanabe, J.
× Jimbo, Takashi
× 曾我, 哲夫
|
|||||||||||||||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | 梅野, 正義 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | Egawa, Takashi | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | 江川, 孝志 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | エガワ, タカシ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | 神保, 孝志 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | Soga, Tetsuo | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | 曾我, 哲夫 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | ソガ, テツオ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||||||||||||||||||||||
| bibliographic_information |
en : APPLIED PHYSICS LETTERS 巻 72, 号 18, p. 2202-2204, 発行日 1998-05-04 |
|||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 0003-6951 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| item_10001_source_id_32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AA00543432 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| item_10001_relation_34 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 関連識別子 | http://dx.doi.org/10.1063/1.121322 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 関連名称 | 10.1063/1.121322 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | A method of analysis of spectroscopic ellipsometry (SE) measurement data is proposed for AlxGa1-xN/GaN heterostructures grown on sapphire substrates. The SE data measured at three angles of incidence, 40°, 50°, and 60°, are simultaneously fitted assuming the dielectric function to consist of a Sellmeir dispersion equation and a free-exciton absorption term. The refractive index n and the extinction coefficient k of undoped AlxGa1-xN films are determined in the spectral range of 1.5-4.13 eV of photon energy. The transition energy of the free exciton, which is in excellent agreement with the reported results for GaN in a previous paper, is found to vary from 3.44 to 3.95 eV when the composition x varies from 0 to 0.151. The refractive index n of AlxGa1-xN has also been compared with those reported results. | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||||
