WEKO3
アイテム
Low resistivity p-ZnO films fabricated by sol-gel spin coating
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/5298
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/52987973c7fb-1d37-4483-8361-5a79191a2a0f
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文_fulltext (166.2 kB)
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Copyright (2006) American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.The following article appeared in Applied physics letters, 88(25),pp.251116-1 - 251116-3; 2006 and may be found at http://link.aip.org/link/?apl/88/251116
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2012-11-06 | |||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||
| タイトル | Low resistivity p-ZnO films fabricated by sol-gel spin coating | |||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||||
| 著者 |
Cao, Yongge
× Cao, Yongge
× Miao, Lei
× Tanemura, Sakae
× Tanemura, Masaki
× Kuno, Yohei
× Hayashi, Yasuhiko
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| 著者別名 | ||||||||||||||||||
| 姓名 | 種村, 眞幸 | |||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||
| 姓名 | 林, 靖彦 | |||||||||||||||||
| bibliographic_information |
en : APPLIED PHYSICS LETTERS 巻 88, 号 25, p. 251116-1-251116-3, 発行日 2006-06-22 |
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| 出版者 | ||||||||||||||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 0003-6951 | |||||||||||||||||
| item_10001_source_id_32 | ||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AA00543432 | |||||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||
| item_10001_relation_34 | ||||||||||||||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||||||||
| 関連識別子 | http://dx.doi.org/10.1063/1.2215618 | |||||||||||||||||
| 関連名称 | 10.1063/1.2215618 | |||||||||||||||||
| 内容記述 | ||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||
| 内容記述 | N-doped and In-N-codoped ZnO films were fabricated on quartz glass substrate by sol-gel spin coating. Their p-type conductivities were characterized by the Hall measurements, revealing low resistivities of the order of 10-1 Ω cm. Thin-film junctions comprising an undoped ZnO layer and a N-doped ZnO layer displayed the typical rectifying characteristics, suggesting formation of p-n homojunctions at the interfaces. | |||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||
