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Deep levels in p-type 4H-SiC induced by low-energy electron irradiation
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/5785
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/5785168caf5c-ddc0-4188-8ff1-8eb7c55950e8
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文_fulltext (212.1 kB)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||||||
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| 公開日 | 2015-05-27 | |||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||
| タイトル | Deep levels in p-type 4H-SiC induced by low-energy electron irradiation | |||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||
| 著者 |
Yoshihara, Kazuki
× Yoshihara, Kazuki
× Kato, Masashi
× Ichimura, Masaya
× Hatayama, Tomoaki
× Ohshima, Takeshi
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| 著者別名 | ||||||||||||||||
| 姓名 | 加藤, 正史 | |||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||
| 姓名 | 市村, 正也 | |||||||||||||||
| 書誌情報 |
en : Materials Science Forum 巻 740-742, p. 373-376, 発行日 2013-02 |
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| 出版者 | ||||||||||||||||
| 出版者 | Trans Tech Publications | |||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||
| 収録物識別子 | 0255-5476 | |||||||||||||||
| item_10001_source_id_32 | ||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||
| 収録物識別子 | AA10695957 | |||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||
| 出版タイプ | AM | |||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa | |||||||||||||||
