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窒化物半導体へのAuフリーオーミック電極の形成とSi基板上GaN HEMTへの応用に関する研究
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/6773
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名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文_fulltext (6.4 MB)
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Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper_04(1) | |||||
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公開日 | 2021-09-17 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | 窒化物半導体へのAuフリーオーミック電極の形成とSi基板上GaN HEMTへの応用に関する研究 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
その他(別言語等)のタイトル | ||||||
その他のタイトル | Study on Au-free ohmic electrodes on nitride semiconductor and application for GaNHEMT on Si substrate | |||||
書誌情報 |
極微デバイス次世代材料研究センター及び窒化物半導体マルチビジネス創生センター報告書 巻 4, p. 1-105, 発行日 2019-03 |
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出版者 | ||||||
出版者 | 名古屋工業大学極微デバイス次世代材料研究センター / 窒化物半導体マルチビジネス創生センター | |||||
書誌レコードID | ||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||
収録物識別子 | AA12925446 | |||||
著者版フラグ | ||||||
出版タイプ | VoR | |||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |