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窒化物半導体へのAuフリーオーミック電極の形成とSi基板上GaN HEMTへの応用に関する研究
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/6773
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/6773c7820c25-1760-4f3c-bdf0-428d875bd8a5
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文_fulltext (6.4 MB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper_04(1) | |||||
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| 公開日 | 2021-09-17 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 窒化物半導体へのAuフリーオーミック電極の形成とSi基板上GaN HEMTへの応用に関する研究 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Study on Au-free ohmic electrodes on nitride semiconductor and application for GaNHEMT on Si substrate | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| 書誌情報 |
ja : 極微デバイス次世代材料研究センター及び窒化物半導体マルチビジネス創生センター報告書 巻 4, p. 1-105, 発行日 2019-03 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 名古屋工業大学極微デバイス次世代材料研究センター | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AA12925446 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
