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  1. 研究論文

Ionization potentials of transparent conductive indium tin oxide films covered with a single layer of fluorine-doped tin oxide nanoparticles grown by spray pyrolysis deposition

https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/5245
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/5245
712ec5ae-6871-4dab-abe4-c50de35469be
名前 / ファイル ライセンス アクション
JAP 本文_fulltext (353.4 kB)
Copyright (2005) American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.The following article appeared in Journal of Applied Physics, 97(8), pp.084314-1- 084314-6 ; 2005 and may be found at http://link.aip.org/link/?jap/97/084314
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2012-11-06
タイトル
タイトル Ionization potentials of transparent conductive indium tin oxide films covered with a single layer of fluorine-doped tin oxide nanoparticles grown by spray pyrolysis deposition
言語 en
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
著者 Fukano, Tatsuo

× Fukano, Tatsuo

en Fukano, Tatsuo

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Motohiro, Tomoyoshi

× Motohiro, Tomoyoshi

en Motohiro, Tomoyoshi

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井田, 隆

× 井田, 隆

ja 井田, 隆
ISNI

ja-Kana イダ, タカシ

en Ida, Takashi


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Hashizume, Hiroo

× Hashizume, Hiroo

en Hashizume, Hiroo

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著者別名
姓名 井田, 隆
言語 ja
姓名 イダ, タカシ
言語 ja-Kana
姓名 Ida, Takashi
言語 en
書誌情報 en : JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

巻 97, 号 8, p. 084314-1-084314-6, 発行日 2005-04-08
出版者
出版者 American Institute of Physics
言語 en
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0021-8979
item_10001_source_id_32
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00693547
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
item_10001_relation_34
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ DOI
関連識別子 http://dx.doi.org/10.1063/1.1866488
関連名称 10.1063/1.1866488
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 Indium tin oxide (ITO) films deposited with single layers of monodispersive fluorine-doped tin oxide (FTO) nanoparticles of several nanometers in size were grown on glass substrates by intermittent spray pyrolysis deposition using conventional atomizers. These films have significantly higher ionization potentials than the bare ITO and FTO films grown using the same technique. The ITO films covered with FTO particles of 7 nm in average size show an ionization potential of 5.01 eV, as compared with 4.76 and 4.64 eV in ITO and FTO films, respectively, which decreases as the FTO particle size increases. The ionization potentials are practically invariant against oxidation and reduction treatments, promising a wide application of the films to transparent conducting oxide electrodes in organic electroluminescent devices and light-emitting devices of high efficiencies.
言語 en
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Ver.1 2023-05-15 13:39:13.055572
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