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アイテム
Si 基板上 AlGaN/GaN HEMT における電界発光と光応答に関する研究
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/6143
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/6143f62f1247-fd11-4f3c-a1ae-43a372fb946d
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文_fulltext (6.2 MB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper_04(1) | |||||||||
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| 公開日 | 2017-09-06 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | Si 基板上 AlGaN/GaN HEMT における電界発光と光応答に関する研究 | |||||||||
| 言語 | ||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||
| 著者 |
名古屋工業大学, 極微デバイス次世代材料研究センター
× 名古屋工業大学, 極微デバイス次世代材料研究センター
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| 書誌情報 |
極微デバイス次世代材料研究センター報告書 = Technical report at Research Center for Nano Devices and Advanced Materials 巻 1, p. 1-73, 発行日 2016-03 |
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| 出版者 | ||||||||||
| 出版者 | 名古屋工業大学極微デバイス次世代材料研究センター | |||||||||
| 書誌レコードID | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||
| 収録物識別子 | AA12793731 | |||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||
| フォーマット | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||||||
