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太陽電池用高純度シリコンの新しい製造法（II）
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/2287
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/228767cfff5b-0824-40b8-ad22-71391c602330
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文_fulltext (718.1 kB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper_04(1) | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2011-08-08 | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | 太陽電池用高純度シリコンの新しい製造法（II） | |||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | タイヨウ デンチ ヨウ コウジュンド シリコン ノ アタラシイ セイゾウホウ | |||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | A Novel Fabrication Technique of High-Purity Silicon for Solar Cell Application. II. | |||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| 言語 | ||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||||
| 著者 |
石澤, 伸夫
× 石澤, 伸夫
× 佐藤, 秀範
× 島宗, 孝之
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| 書誌情報 |
ja : セラミックス基盤工学研究センター年報 en : Annual report of the Ceramics Research Laboratory Nagoya Institute of Technology 巻 5, p. 41-46, 発行日 2006-03-31 |
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| 出版者 | ||||||||||||
| 出版者 | 名古屋工業大学セラミックス基盤工学研究センター | |||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||
| ISSN | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||||||||
| 収録物識別子 | 1347-1694 | |||||||||||
| 書誌レコードID | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||
| 収録物識別子 | AA11625130 | |||||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||
| 内容記述 | ||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||
| 内容記述 | The technique to synthesize silicon from silicon tetrachloride by reduction reaction with zinc at high temperatures wasre-examined for the purpose of providing high-purity silicon materials for silicon solar-cell industries. The new findingswhich should be added to our previous paper (Annual Report of the Ceramics Research Laboratory, Vol. 4, p37-42,2005) are as follows: 1) Single-crystal silicon fibers can be best grown at 1200 °C or lower temperatures. 2) The Zn andSiCl4 vapors would be better reacted in the temperature range 1200-1250 °C. 3) The present intermittent injectionmethod of SiCl4 tends to cause an abrupt backward-flow of air from the exhaust gas outlet into the reaction furnace dueto a large difference in the vapor pressure of species and their volumetric change in the reduction reaction, and shouldbe replaced with a method allowing a continuous injection. | |||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| 見出し | ||||||||||||
| 大見出し | <技術報告> | |||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||
| 見出し | ||||||||||||
| 大見出し | <Technical Report> | |||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
