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Improved characteristics of GaAs metal-semiconductor field-effect transistors on Si substrates back-coated with SiO2 by metalorganic chemical vapor deposition
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4081
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| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文_fulltext (371.8 kB)
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Copyright (1991) American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.The following article appeared in Applied physics letters, 58(12), pp.1265-1267; 1991 and may be found at http://link.aip.org/link/?apl/58/1265
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2012-11-06 | |||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | Improved characteristics of GaAs metal-semiconductor field-effect transistors on Si substrates back-coated with SiO2 by metalorganic chemical vapor deposition | |||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||||||||||||||
| 著者 |
江川, 孝志
× 江川, 孝志
× Nozaki, S.
× 曾我, 哲夫
× Jimbo, Takashi
× Umeno, Masayoshi
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| 著者別名 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | Egawa, Takashi | |||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | 江川, 孝志 | |||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | エガワ, タカシ | |||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | Soga, Tetsuo | |||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | 曾我, 哲夫 | |||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | ソガ, テツオ | |||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | 神保, 孝志 | |||||||||||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | 梅野, 正義 | |||||||||||||||||||||||||||
| bibliographic_information |
en : APPLIED PHYSICS LETTERS 巻 58, 号 12, p. 1265-1267, 発行日 1991-03-25 |
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| 出版者 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 0003-6951 | |||||||||||||||||||||||||||
| item_10001_source_id_32 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AA00543432 | |||||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||||||||||||
| item_10001_relation_34 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||||||||||||||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||||||||||||||||||
| 関連識別子 | http://dx.doi.org/10.1063/1.104331 | |||||||||||||||||||||||||||
| 関連名称 | 10.1063/1.104331 | |||||||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | GaAs metal‐semiconductor field‐effect transistors (MESFETs) on Si substrates back‐coated with SiO2 grown at high temperature by metalorganic chemical vapor deposition have shown good pinch‐off and suppressed sidegating. The SiO2 back‐coating suppresses Si incorporation into an undoped GaAs layer during growth, and use of such an undoped layer with a low electron concentration beneath the channel layer improves a pinch‐off characteristic. Higher growth temperature also improves crystallinity of GaAs layers grown on Si and helps to suppress the sidegating effect of GaAs MESFETs. The maximum transconductance of 160 mS/mm and the K value of 46.8 mA/V2mm have been obtained for a MESFET with 2.5 μm gate length. | |||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||
