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  1. 研究論文

Low density of defect states in hydrogenated amorphous carbon thin films grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition

https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4911
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4911
037d55ae-97f1-424c-9eed-ccc74cb41489
名前 / ファイル ライセンス アクション
APL 本文_fulltext (53.8 kB)
Copyright (2001) American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.The following article appeared in Applied physics letters, 78(3), pp.294-296; 2001 and may be found at http://link.aip.org/link/?apl/78/294
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2012-11-06
タイトル
タイトル Low density of defect states in hydrogenated amorphous carbon thin films grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition
言語 en
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
著者 Krishna, K. M.

× Krishna, K. M.

en Krishna, K. M.

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Ebisu, H.

× Ebisu, H.

en Ebisu, H.

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Hagimoto, K.

× Hagimoto, K.

en Hagimoto, K.

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Hayashi, Y.

× Hayashi, Y.

en Hayashi, Y.

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曾我, 哲夫

× 曾我, 哲夫

en Soga, Tetsuo

ja 曾我, 哲夫
ISNI

ja-Kana ソガ, テツオ


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Jimbo, Takashi

× Jimbo, Takashi

en Jimbo, Takashi

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Umeno, Masayoshi

× Umeno, Masayoshi

en Umeno, Masayoshi

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著者別名
姓名 Soga, Tetsuo
言語 en
姓名 曾我, 哲夫
言語 ja
姓名 ソガ, テツオ
言語 ja-Kana
著者別名
姓名 神保, 孝志
著者別名
姓名 梅野, 正義
bibliographic_information en : APPLIED PHYSICS LETTERS

巻 78, 号 3, p. 294-296, 発行日 2001-01-15
出版者
出版者 American Institute of Physics
言語 en
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0003-6951
item_10001_source_id_32
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00543432
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
item_10001_relation_34
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ DOI
関連識別子 http://dx.doi.org/10.1063/1.1335548
関連名称 10.1063/1.1335548
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 The density of electronic defect states in most forms of amorphous carbon deposited at room temperature is found so far to be very high (1018-1022 spinscm-3). In this letter, we demonstrate that the radio-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposited hydrogenated amorphous carbon (a-C:H) thin film exhibits the lowest spin density of the order of 1016cm-3, investigated by using electron spin resonance (ESR) spectroscopy, a very promising reproducible result comparable with high-quality a-Si:H. In addition, the optical gap of a-C:H has been tailored between a wide range, 1.8-3.1 eV. The ESR spectra of all the films reveal a single Lorentzian line whose linewidth ΔHpp varies strongly with the optical gap. Also, there is a strong dependence of spin density on the optical gap, and we show that this dependency is a direct result of structural changes due to sp3/sp2 carbon bonding network.
言語 en
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Ver.1 2023-05-15 13:44:23.705798
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