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Si基板上縦型GaN MOSFETの試作とその特性改善に関する研究
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/6781
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/67814e7018b7-9b98-4630-945d-a6742be0b2ab
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文_fulltext (3.8 MB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper_04(1) | |||||
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| 公開日 | 2021-09-17 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Si基板上縦型GaN MOSFETの試作とその特性改善に関する研究 | |||||
| 言語 | ja | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Fabrication and study of characteristic improvement of vertical GaN MOSFET on Si substrate | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| 書誌情報 |
極微デバイス次世代材料研究センター及び窒化物半導体マルチビジネス創生センター報告書 巻 5, 発行日 2020-03 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 名古屋工業大学極微デバイス次世代材料研究センター | |||||
| 言語 | ja | |||||
| 書誌レコードID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AA12925446 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
