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Initial stage of epitaxial growth at the high temperature of GaAs and AlGaAs on Si by metalorganic chemical vapor deposition
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4079
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| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文_fulltext (422.6 kB)
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Copyright (1991) American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.The following article appeared in Applied physics letters, 58(11), pp.1170-1172; 1991 and may be found at http://link.aip.org/link/?apl/58/1170
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2012-11-06 | |||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||
| タイトル | Initial stage of epitaxial growth at the high temperature of GaAs and AlGaAs on Si by metalorganic chemical vapor deposition | |||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||||||||
| 著者 |
曾我, 哲夫
× 曾我, 哲夫
× George, T.
× Jimbo, Takashi
× Umeno, Masayoshi
× Weber, E. R.
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| 著者別名 | ||||||||||||||||||||||
| 姓名 | Soga, Tetsuo | |||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||
| 姓名 | 曾我, 哲夫 | |||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||
| 姓名 | ソガ, テツオ | |||||||||||||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||||
| 姓名 | 神保, 孝志 | |||||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||||
| 姓名 | 梅野, 正義 | |||||||||||||||||||||
| bibliographic_information |
en : APPLIED PHYSICS LETTERS 巻 58, 号 11, p. 1170-1172, 発行日 1991-03-18 |
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| 出版者 | ||||||||||||||||||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 0003-6951 | |||||||||||||||||||||
| item_10001_source_id_32 | ||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AA00543432 | |||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||||||
| item_10001_relation_34 | ||||||||||||||||||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||||||||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||||||||||||
| 関連識別子 | http://dx.doi.org/10.1063/1.104354 | |||||||||||||||||||||
| 関連名称 | 10.1063/1.104354 | |||||||||||||||||||||
| 内容記述 | ||||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||||||
| 内容記述 | GaAs and AlGaAs grown directly on Si were characterized by transmission electron microscopy. Both GaAs and AlGaAs grow three‐dimensionally on Si at 750°C. The spacing between GaAs islands is large, while the AlGaAs islands appear to be contiguous for a nominal thickness of 22.5 nm. There is a high density of dislocations, stacking faults, and microtwins in the thin GaAs layer, but drastic reduction of such defects was observed in the planar AlGaAs nucleation layer. | |||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||
