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Degradation mechanism of AlGaAs/GaAs laser diodes grown on Si substrates
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4379
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4379c32bef45-b1d6-4376-a287-3f7531340a40
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文_fulltext (144.6 kB)
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Copyright (1995) American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.The following article appeared in Applied physics letters, 67(20), pp.2995 - 2997; 1995 and may be found at http://link.aip.org/link/?apl/67/2995
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2012-11-06 | |||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||
| タイトル | Degradation mechanism of AlGaAs/GaAs laser diodes grown on Si substrates | |||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||||||
| 著者 |
江川, 孝志
× 江川, 孝志
× Hasegawa, Y.
× Jimbo, Takashi
× Umeno, Masayoshi
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| 著者別名 | ||||||||||||||||||||
| 姓名 | Egawa, Takashi | |||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||
| 姓名 | 江川, 孝志 | |||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||
| 姓名 | エガワ, タカシ | |||||||||||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||
| 姓名 | 神保, 孝志 | |||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||
| 姓名 | 梅野, 正義 | |||||||||||||||||||
| 書誌情報 |
en : APPLIED PHYSICS LETTERS 巻 67, 号 20, p. 2995-2997, 発行日 1995-11-13 |
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| 出版者 | ||||||||||||||||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 0003-6951 | |||||||||||||||||||
| item_10001_source_id_32 | ||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AA00543432 | |||||||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||||
| item_10001_relation_34 | ||||||||||||||||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||||||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||||||||||
| 関連識別子 | http://dx.doi.org/10.1063/1.114930 | |||||||||||||||||||
| 関連名称 | 10.1063/1.114930 | |||||||||||||||||||
| 内容記述 | ||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||||
| 内容記述 | We have studied the rapid degradation of the AlGaAs/GaAs single quantum well laser diodes on Si substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition. The dislocations propagate at velocities up to ～75 μm/h along 〈100〉 and ～20 μm/h along 〈110〉, which cause an increase in threshold current and a decrease in differential quantum efficiency. The degraded current-voltage characteristic resulted from the defect‐assisted impurity diffusion. The degradation process occurs very rapidly due to the presence of a high density of defects and thermally induced strain. | |||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||
