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アイテム
リセスゲートを用いたサファイア基板上のAlGaN/GaN HEMTの諸特性
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4816
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4816cce27403-e970-4048-8d9f-ea8a02891815
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文_fulltext (433.6 kB)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||||||||||||
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| 公開日 | 2012-11-06 | |||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||
| タイトル | リセスゲートを用いたサファイア基板上のAlGaN/GaN HEMTの諸特性 | |||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||||||||
| その他（別言語等）のタイトル | ||||||||||||||||||||||
| その他のタイトル | リセスゲート オモチイタ サファイア キバンジョウ ノ AlGaN/GaN HEMT ノ ショトクセイ | |||||||||||||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||||||||||||
| その他（別言語等）のタイトル | ||||||||||||||||||||||
| その他のタイトル | Characteristics of Recessed Gate AlGaN/GaN HEMTs on Sapphire Substrate | |||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||
| 著者 |
江川, 孝志
× 江川, 孝志
× 石川, 博康
× 趙, 廣元
× 神保, 孝志
× 梅野, 正義
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| 著者別名 | ||||||||||||||||||||||
| 姓名 | Egawa, Takashi | |||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||
| 姓名 | 江川, 孝志 | |||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||
| 姓名 | エガワ, タカシ | |||||||||||||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||||
| 姓名 | Jimbo, Takashi | |||||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||||
| 姓名 | Umeno, Masayoshi | |||||||||||||||||||||
| 書誌情報 |
ja : 電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス 巻 J83-C, 号 4, p. 253-260, 発行日 2000-04-20 |
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| 出版者 | ||||||||||||||||||||||
| 出版者 | Institute of Electronics, Information and Communication Engineers | |||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 1345-2827 | |||||||||||||||||||||
| item_10001_source_id_32 | ||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AA11412446 | |||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||||||
| 内容記述 | ||||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||||||
| 内容記述 | サファイア基板上に有機金属気相成長(MOCVD)法を用いてAlGaN/GaNヘテロ構造を成長し，更にリセスゲートプロセスを用いてAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)を作製した．50K以下の低温にてシートキャリヤ密度が一定になる2次元電子ガス特有の特性が観察された．8.9Kにおいて移動度は12000cm2/Vs，シートキャリヤ密度は2.8×1012cm-2であった．このような高品質の薄膜に変調ドープを行い，リアクティブイオンエッチング(RIE)によるリセスゲートプロセスを用いて作製したゲート長 2.1μmのAlGaN/GaN HEMTは，25°Cにて相互コンダクタンス146mS/mm，ドレーン電流900mA/mmの良好な特性が得られた．350°Cでは，相互コンダクタンスが62mS/mmと低下したが，良好なピンチオフ特性及び飽和特性を示した．また，25°C及び350°Cでのしきい値電圧の変化は0.3Vと非常に小さく，AC動作時での顕著な電流コラプスは観測されなかった． | |||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||
