WEKO3
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リセスゲートを用いたサファイア基板上のAlGaN/GaN HEMTの諸特性
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4816
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名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
---|---|---|
本文_fulltext (433.6 kB)
|
Copyright (c) 2000 IEICE http://search.ieice.org/index.html
|
Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
---|---|---|---|---|---|---|
公開日 | 2012-11-06 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | リセスゲートを用いたサファイア基板上のAlGaN/GaN HEMTの諸特性 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
資源タイプ | journal article | |||||
その他(別言語等)のタイトル | ||||||
その他のタイトル | リセスゲート オモチイタ サファイア キバンジョウ ノ AlGaN/GaN HEMT ノ ショトクセイ | |||||
その他(別言語等)のタイトル | ||||||
その他のタイトル | Characteristics of Recessed Gate AlGaN/GaN HEMTs on Sapphire Substrate | |||||
著者 |
江川, 孝志
× 江川, 孝志× 石川, 博康× 趙, 廣元× 神保, 孝志× 梅野, 正義 |
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著者別名 | ||||||
姓名 | Egawa, Takashi | |||||
著者別名 | ||||||
姓名 | Jimbo, Takashi | |||||
著者別名 | ||||||
姓名 | Umeno, Masayoshi | |||||
書誌情報 |
電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス 巻 J83-C, 号 4, p. 253-260, 発行日 2000-04-20 |
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出版者 | ||||||
出版者 | Institute of Electronics, Information and Communication Engineers | |||||
ISSN | ||||||
収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
収録物識別子 | 13452827 | |||||
書誌レコードID(NCID) | ||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||
収録物識別子 | AA11412446 | |||||
著者版フラグ | ||||||
出版タイプ | VoR | |||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
内容記述 | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | サファイア基板上に有機金属気相成長(MOCVD)法を用いてAlGaN/GaNヘテロ構造を成長し,更にリセスゲートプロセスを用いてAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)を作製した.50K以下の低温にてシートキャリヤ密度が一定になる2次元電子ガス特有の特性が観察された.8.9Kにおいて移動度は12000cm2/Vs,シートキャリヤ密度は2.8×1012cm-2であった.このような高品質の薄膜に変調ドープを行い,リアクティブイオンエッチング(RIE)によるリセスゲートプロセスを用いて作製したゲート長 2.1μmのAlGaN/GaN HEMTは,25°Cにて相互コンダクタンス146mS/mm,ドレーン電流900mA/mmの良好な特性が得られた.350°Cでは,相互コンダクタンスが62mS/mmと低下したが,良好なピンチオフ特性及び飽和特性を示した.また,25°C及び350°Cでのしきい値電圧の変化は0.3Vと非常に小さく,AC動作時での顕著な電流コラプスは観測されなかった. | |||||
フォーマット | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | application/pdf |