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Growth of stress-released GaAs on GaAs/Si structure by metalorganic chemical vapor deposition
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4899
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| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文_fulltext (44.4 kB)
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Copyright (2000) American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.The following article appeared in Applied physics letters, 77(24), pp.3947-3949; 2000 and may be found at http://link.aip.org/link/?apl/77/3947
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2012-11-06 | |||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||
| タイトル | Growth of stress-released GaAs on GaAs/Si structure by metalorganic chemical vapor deposition | |||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||||||
| 著者 |
曾我, 哲夫
× 曾我, 哲夫
× Jimbo, Takashi
× Arokiaraj, J.
× Umeno, Masayoshi
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| 著者別名 | ||||||||||||||||||||
| 姓名 | Soga, Tetsuo | |||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||
| 姓名 | 曾我, 哲夫 | |||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||
| 姓名 | ソガ, テツオ | |||||||||||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||
| 姓名 | 神保, 孝志 | |||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||
| 姓名 | 梅野, 正義 | |||||||||||||||||||
| bibliographic_information |
en : APPLIED PHYSICS LETTERS 巻 77, 号 24, p. 3947-3949, 発行日 2000-12-11 |
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| 出版者 | ||||||||||||||||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 0003-6951 | |||||||||||||||||||
| item_10001_source_id_32 | ||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AA00543432 | |||||||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||||
| 内容記述 | ||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||||
| 内容記述 | A stress-released GaAs layer was grown on GaAs bonded to Si substrate with the combination of epitaxial lift-off technique and regrowth by metalorganic chemical vapor deposition. The GaAs thin film was bonded to Si substrate using SeS2 and another GaAs layer was regrown. The photoluminescence peak wavelength and the slope of the time resolved photoluminescence decay of GaAs/Si are almost the same as those of GaAs grown on GaAs substrate. | |||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||
