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Role of cyclic process in the initial stage of diamond deposition during bias enhanced nucleation
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/5064
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名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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Copyright (2002) American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.The following article appeared in Journal of Applied Physics, 91(12), pp.9752- 9756 ; 2002 and may be found at http://link.aip.org/link/?jap/91/9752
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Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||||||||||||
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公開日 | 2012-11-06 | |||||||||||||||||||||
タイトル | ||||||||||||||||||||||
タイトル | Role of cyclic process in the initial stage of diamond deposition during bias enhanced nucleation | |||||||||||||||||||||
言語 | en | |||||||||||||||||||||
言語 | ||||||||||||||||||||||
言語 | eng | |||||||||||||||||||||
資源タイプ | ||||||||||||||||||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||||||
資源タイプ | journal article | |||||||||||||||||||||
著者 |
Hayashi, Y.
× Hayashi, Y.
× Matsushita, Y.
× 曾我, 哲夫
× Umeno, Masayoshi
× Jimbo, Takashi
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著者別名 | ||||||||||||||||||||||
姓名 | Soga, Tetsuo | |||||||||||||||||||||
言語 | en | |||||||||||||||||||||
姓名 | 曾我, 哲夫 | |||||||||||||||||||||
言語 | ja | |||||||||||||||||||||
姓名 | ソガ, テツオ | |||||||||||||||||||||
言語 | ja-Kana | |||||||||||||||||||||
著者別名 | ||||||||||||||||||||||
姓名 | 梅野, 正義 | |||||||||||||||||||||
著者別名 | ||||||||||||||||||||||
姓名 | 神保, 孝志 | |||||||||||||||||||||
bibliographic_information |
en : JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 巻 91, 号 12, p. 9752-9756, 発行日 2002-06-15 |
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出版者 | ||||||||||||||||||||||
出版者 | American Institute of Physics | |||||||||||||||||||||
言語 | en | |||||||||||||||||||||
ISSN | ||||||||||||||||||||||
収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||||||||
収録物識別子 | 0021-8979 | |||||||||||||||||||||
item_10001_source_id_32 | ||||||||||||||||||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||||||
収録物識別子 | AA00693547 | |||||||||||||||||||||
出版タイプ | ||||||||||||||||||||||
出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||||||
item_10001_relation_34 | ||||||||||||||||||||||
関連タイプ | isIdenticalTo | |||||||||||||||||||||
識別子タイプ | DOI | |||||||||||||||||||||
関連識別子 | http://dx.doi.org/10.1063/1.1480116 | |||||||||||||||||||||
関連名称 | 10.1063/1.1480116 | |||||||||||||||||||||
内容記述 | ||||||||||||||||||||||
内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||||||
内容記述 | The initial nucleation of diamond film on a Si substrate, deposited by a three-step growth process together with a cycle bias enhanced nucleation (BEN) growth/H2 plasma etching technique in a microwave plasma enhanced chemical vapor deposition system has been investigated by atomic force microscopy, Raman spectroscopy and x-ray photoelectron spectroscopy. The surface morphology and the uniformity of {100}-oriented textured grains at the BEN step were found to be greatly increased by applying the cyclic process with some optimal H2 plasma etching time during the BEN stage. | |||||||||||||||||||||
言語 | en |