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  1. 研究論文

Role of cyclic process in the initial stage of diamond deposition during bias enhanced nucleation

https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/5064
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/5064
3004d13b-9e61-414c-9a50-1a0b6e9705af
名前 / ファイル ライセンス アクション
JAP 本文_fulltext (182.0 kB)
Copyright (2002) American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.The following article appeared in Journal of Applied Physics, 91(12), pp.9752- 9756 ; 2002 and may be found at http://link.aip.org/link/?jap/91/9752
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2012-11-06
タイトル
タイトル Role of cyclic process in the initial stage of diamond deposition during bias enhanced nucleation
言語 en
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
著者 Hayashi, Y.

× Hayashi, Y.

en Hayashi, Y.

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Matsushita, Y.

× Matsushita, Y.

en Matsushita, Y.

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曾我, 哲夫

× 曾我, 哲夫

en Soga, Tetsuo

ja 曾我, 哲夫
ISNI

ja-Kana ソガ, テツオ


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Umeno, Masayoshi

× Umeno, Masayoshi

en Umeno, Masayoshi

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Jimbo, Takashi

× Jimbo, Takashi

en Jimbo, Takashi

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著者別名
姓名 Soga, Tetsuo
言語 en
姓名 曾我, 哲夫
言語 ja
姓名 ソガ, テツオ
言語 ja-Kana
著者別名
姓名 梅野, 正義
著者別名
姓名 神保, 孝志
bibliographic_information en : JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

巻 91, 号 12, p. 9752-9756, 発行日 2002-06-15
出版者
出版者 American Institute of Physics
言語 en
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0021-8979
item_10001_source_id_32
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00693547
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
item_10001_relation_34
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ DOI
関連識別子 http://dx.doi.org/10.1063/1.1480116
関連名称 10.1063/1.1480116
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 The initial nucleation of diamond film on a Si substrate, deposited by a three-step growth process together with a cycle bias enhanced nucleation (BEN) growth/H2 plasma etching technique in a microwave plasma enhanced chemical vapor deposition system has been investigated by atomic force microscopy, Raman spectroscopy and x-ray photoelectron spectroscopy. The surface morphology and the uniformity of {100}-oriented textured grains at the BEN step were found to be greatly increased by applying the cyclic process with some optimal H2 plasma etching time during the BEN stage.
言語 en
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Ver.1 2023-05-15 13:42:09.042487
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