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アイテム
砥粒内包工具によるSiC単結晶の研磨の試み
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/2265
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/22657b2e6a29-d000-451d-9673-e80063b01078
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文_fulltext (1.1 MB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper_04(1) | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2011-08-10 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | 砥粒内包工具によるSiC単結晶の研磨の試み | |||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | トリュウ ナイホウ コウグ ニヨル ＳｉＣ タンケッショウ ノ ケンマ ノ ココロミ | |||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | The Trial of Polishing of the Single-Crystal Silicon Carbide (SiC) by an Abrasive Grain Intension Polishing Pad | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 言語 | ||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||
| 著者 |
山口, 幸男
× 山口, 幸男
× 佐藤, 誠
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| 書誌情報 |
ja : セラミックス基盤工学研究センター年報 en : Annual report of the Ceramics Research Laboratory Nagoya Institute of Technology 巻 7, p. 49-53, 発行日 2008-03-31 |
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| 出版者 | ||||||||||
| 出版者 | 名古屋工業大学セラミックス基盤工学研究センター | |||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| ISSN | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||||||
| 収録物識別子 | 1347-1694 | |||||||||
| 書誌レコードID | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||
| 収録物識別子 | AA11625130 | |||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||
| 内容記述 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | In recent years, the single-crystal silicon carbide (SiC) attracts attention as a substrate of a power device or LED. The single-crystalSiC becomes a substrate through various processing processes. At a back process, polishing process is needed. Conventionally, afinal polishing of single-crystal SiC was performed by loose abrasive grain polishing. However, the removal rate of polishing waslow. This was set to one of the causes of a cost rise of the single-crystal SiC wafer. In this research, the polishing examinationwas performed using the advanced-type Loosely Held Abrasive (LHA) pad which is a polishing pad involving abrasive grains,and water or a polishing lubricant containing the additive agent was supplyied in order to improve the polishing process. Whenthis process is introduced into polishing process of the single-crystal SiC, polishing process in a short time is attained and thereis possibility of a cost cut. It leads to the spread of future single-crystal SiC wafers. | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
| 見出し | ||||||||||
| 大見出し | <総説> | |||||||||
| 言語 | ja | |||||||||
| 見出し | ||||||||||
| 大見出し | <Review> | |||||||||
| 言語 | en | |||||||||
