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Low etch pit density GaAs on Si grown by metalorganic chemical vapor deposition
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4035
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4035230542e6-e4fa-4b72-9b73-5e35a603445b
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文_fulltext (366.6 kB)
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Copyright (1990) American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.The following article appeared in Applied physics letters, 56(15), pp.1433-1435; 1990 and may be found at http://link.aip.org/link/?apl/56/1433
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2012-11-06 | |||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||
| タイトル | Low etch pit density GaAs on Si grown by metalorganic chemical vapor deposition | |||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||||
| 著者 |
曾我, 哲夫
× 曾我, 哲夫
× Jimbo, Takashi
× Umeno, Masayoshi
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| 著者別名 | ||||||||||||||||||
| 姓名 | Soga, Tetsuo | |||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||
| 姓名 | 曾我, 哲夫 | |||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||
| 姓名 | ソガ, テツオ | |||||||||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||
| 姓名 | 神保, 孝志 | |||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||
| 姓名 | 梅野, 正義 | |||||||||||||||||
| bibliographic_information |
en : APPLIED PHYSICS LETTERS 巻 56, 号 15, p. 1433-1435, 発行日 1990-04-09 |
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| 出版者 | ||||||||||||||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 0003-6951 | |||||||||||||||||
| item_10001_source_id_32 | ||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AA00543432 | |||||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||
| item_10001_relation_34 | ||||||||||||||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||||||||
| 関連識別子 | http://dx.doi.org/10.1063/1.102489 | |||||||||||||||||
| 関連名称 | 10.1063/1.102489 | |||||||||||||||||
| 内容記述 | ||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||
| 内容記述 | GaAs was grown on a Si substrate by metalorganic chemical vapor deposition using GaAs/GaAsP strained‐layer superlattice (SLS) intermediate layers. The dislocation density decreases at the interface between GaAs and the SLS, but does not decrease in the SLS. When a GaAs/GaAsP SLS is used as the intermediate layer, part of the threading dislocation propagates into the top GaAs layer because of the lattice mismatch of GaAs and SLS. The low etch pit density of (3-5)×105 cm-2 was obtained by using the intermediate layer of a GaAs/GaAsP SLS and an AlAs/GaAs superlattice with thermal cycle annealing. | |||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||
