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Crystallinity and Schottky diode characteristics of GaAs grown on Si by metalorganlc chemical vapor deposition
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4039
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| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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本文_fulltext (684.8 kB)
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Copyright (1990) American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.The following article appeared in Journal of Applied Physics, 67(11), pp.6908- 6913 ; 1990 and may be found at http://link.aip.org/link/?jap/67/6908
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2012-11-06 | |||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||||||||||||||
| タイトル | Crystallinity and Schottky diode characteristics of GaAs grown on Si by metalorganlc chemical vapor deposition | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||||||||||||||||||||
| 著者 |
江川, 孝志
× 江川, 孝志
× Nozaki, S.
× Noto, N.
× 曾我, 哲夫
× Jimbo, Takashi
× Umeno, Masayoshi
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| 著者別名 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | Egawa, Takashi | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | 江川, 孝志 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | エガワ, タカシ | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | Soga, Tetsuo | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | 曾我, 哲夫 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | ソガ, テツオ | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | 神保, 孝志 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 著者別名 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 姓名 | 梅野, 正義 | |||||||||||||||||||||||||||||
| bibliographic_information |
en : JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 巻 67, 号 11, p. 6908-6913, 発行日 1990-06-01 |
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| 出版者 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 0021-8979 | |||||||||||||||||||||||||||||
| item_10001_source_id_32 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||||||||||||||||||||
| 収録物識別子 | AA00693547 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||||||||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||||||||||||||||||
| item_10001_relation_34 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||||||||||||||||||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||||||||||||||||||||
| 関連識別子 | http://dx.doi.org/10.1063/1.345083 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 関連名称 | 10.1063/1.345083 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||||||||||||||
| 内容記述 | The crystallinity of GaAs grown on Si with various intermediate layers by metalorganic chemical vapor deposition and characteristics of Schottky diodes fabricated on the grown GaAs/Si have been studied. The GaAs/Si with an Al0.55Ga0.45P intermediate layer has both good crystallinity, x‐ray full width at half maximum of 188 arcsec, and a smooth surface. The Schottky diode fabricated on the GaAs/Si with an Al0.55Ga0.45P intermediate layer also shows good forward and reverse current‐voltage characteristics with an ideality factor of 1.06, as good as for an n‐type GaAs substrate. However, a relatively large leakage current is observed under reverse and small forward bias. This leakage current is caused by generation and recombination through the centers related to dislocations in the GaAs/Si. | |||||||||||||||||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||||||||||||||||||
