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  1. 研究論文

Visualization of photoexcited free carriers by scanning near-field millimeter-wave microscopy

https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4835
https://nitech.repo.nii.ac.jp/records/4835
736b5e47-61bc-40f0-bf41-3392fa9f085b
名前 / ファイル ライセンス アクション
APL 本文_fulltext (386.2 kB)
Copyright (2000) American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.The following article appeared in Applied physics letters, 77(1),pp.148-150 ; 2000 and may be found at http://link.aip.org/link/?apl/77/148
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2012-11-06
タイトル
タイトル Visualization of photoexcited free carriers by scanning near-field millimeter-wave microscopy
言語 en
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
著者 Nozokido, Tatsuo

× Nozokido, Tatsuo

en Nozokido, Tatsuo

Search repository
裵, 鐘石

× 裵, 鐘石

en Bae, Jongsuck

ja 裵, 鐘石
ISNI

ja-Kana ベイ, ジョンソク


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Mizuno, Koji

× Mizuno, Koji

en Mizuno, Koji

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著者別名
姓名 Bae, Jongsuck
言語 en
姓名 裵, 鐘石
言語 ja
姓名 ベイ, ジョンソク
言語 ja-Kana
bibliographic_information en : APPLIED PHYSICS LETTERS

巻 77, 号 1, p. 148-150, 発行日 2000-07-03
出版者
出版者 American Institute of Physics
言語 en
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0003-6951
item_10001_source_id_32
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00543431
出版タイプ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
item_10001_relation_34
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ DOI
関連識別子 http://dx.doi.org/10.1063/1.126905
関連名称 10.1063/1.126905
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 Visualization of transition phenomena of photoexcited free carriers by scanning near-field millimeter-wave microscopy has been demonstrated. A scanning millimeter-wave microscope using a metal slit-type probe and an image reconstruction algorithm based on computerized tomographic imaging has been used in the experiment to achieve two-dimensional time-resolved imaging. Experiments performed at 60 GHz (λ = 5mm) under room temperature conditions show that generation, extinction, and diffusion processes of photoexcited free carriers generated in the silicon layer of a silicon on quartz substrate can be imaged with a time division of one nanosecond and a spatial resolution of 110 μm ( ? λ/45).
言語 en
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Ver.1 2023-05-15 13:45:19.659383
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